- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录92 > MRF1570NT1 (Freescale Semiconductor)IC MOSFET RF N-CHAN TO272-8 WRAP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF1570NT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/23页 |
| 文件大小： | 616K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-8 WRAP |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 470MHz |
| 增益： | 11.5dB |
| 电压 - 测试： | 12.5V |
| 额定电流： | 1µA |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 70W |
| 电压 - 额定： | 40V |
| 封装/外壳： | TO-272AA |
| 供应商设备封装： | TO-272-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1570NT1 MRF1570FNT1
Table 5. Electrical Characteristics (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Current
(VDS
= 60 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
?
1
μA
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(VDS
= 12.5 Vdc, I
D
= 0.8 mAdc)
VGS(th)
1
?
3
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(VGS
= 10 Vdc, I
D
= 2.0 Adc)
VDS(on)
?
?
1
Vdc
Dynamic Characteristics
Input Capacitance (Includes Input Matching Capacitance)
(VDS
= 12.5 Vdc, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz)
Ciss
?
?
500
pF
Output Capacitance
(VDS
= 12.5 Vdc, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz)
Coss
?
?
250
pF
Reverse Transfer Capacitance
(VDS
= 12.5 Vdc, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz)
Crss
?
?
35
pF
RF Characteristics
(In Freescale Test Fixture)
Common-Source Amplifier Power Gain
(VDD
= 12.5 Vdc, P
out
= 70 W, I
DQ
= 800 mA) f = 470 MHz
Gps
?
11.5
?
dB
Drain Efficiency
(VDD
= 12.5 Vdc, P
out
= 70 W, I
DQ
= 800 mA) f = 470 MHz
η
?
60
?
%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF18030ALSR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S |
| MRF18060ALR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 |
| MRF18085ALSR5 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S |
| MRF18090AR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 |
| MRF19030LSR5 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF1570NT1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF1570T1 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF157MP | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET |
| MRF158 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF160 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。