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参数资料
| 型号： | MRF1570NT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 19/23页 |
| 文件大小： | 616K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-8 WRAP |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 470MHz |
| 增益： | 11.5dB |
| 电压 - 测试： | 12.5V |
| 额定电流： | 1µA |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 70W |
| 电压 - 额定： | 40V |
| 封装/外壳： | TO-272AA |
| 供应商设备封装： | TO-272-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF1570NT1 MRF1570FNT1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS, 135 - 175 MHz
90
12
18
10
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 5. Gain versus Output Power
G
ps
, P
O
WER
G
AIN (dB)
20 30 40 50 60 70 80
135 MHz
175 MHz
155 MHz
VDD
= 12.5 Vdc
17
16
15
14
13
90
20
70
10
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 6. Drain Efficiency versus Output Power
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
60
50
40
30
20 30 40 50 60 70 80
135 MHz
175 MHz
155 MHz
VDD
= 12.5 Vdc
1600
50
90
400
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
Figure 7. Output Power versus Biasing Current
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
135 MHz
175 MHz
155 MHz
VDD
= 12.5 Vdc
Pin
= 36 dBm
80
70
60
600 800 14001000
1200
0
100
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
Figure 8. Drain Efficiency versus Biasing Current
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
1600
400
135 MHz
175 MHz
155 MHz
VDD
= 12.5 Vdc
Pin
= 36 dBm
600 800 14001000
1200
80
60
40
20
15
0
100
10
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Output Power versus Supply Voltage
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
135 MHz
175 MHz
155 MHz
Pin
= 36 dBm
IDQ
= 800 mA
80
60
40
20
14
13
12
11
15
0
100
10
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Drain Efficiency versus Supply Voltage
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
80
60
40
20
135 MHz
175 MHz
155 MHz
Pin
= 36 dBm
IDQ
= 800 mA
11 12 13 14
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