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参数资料
| 型号： | MRF275 |
| 厂商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | 150 W, 28 V, 500 MHz N.CHANNEL MOS BROADBAND 100 - 500 MHz RF POWER FET |
| 中文描述： | 150瓦，28五，500兆赫N.沟道MOS宽带100 - 500 MHz射频功率场效应晶体管 |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 226K |
| 代理商： | MRF275 |
MRF275G
4
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 2. Output Power versus Input Power
250
Pin, INPUT POWER (Watts)
0
10
50
150
100
Figure 3. Output Power versus Gate Voltage
0
–10
–8
VGS, GATE–SOURCE VOLTAGE (V)
160
20
5
15
120
P
0
0
P
200
–6
–4
Figure 4. Drain Current versus Gate Voltage
(Transfer Characteristics)
10
VGS, GATE–SOURCE VOLTAGE (V)
0
4
Figure 5. Output Power versus Supply Voltage
140
VDD, SUPPLY VOLTAGE (V)
2
20
Figure 6. Output Power versus Supply Voltage
VDD, SUPPLY VOLTAGE (V)
40
0
120
Figure 7. Output Power versus Supply Voltage
VDD, SUPPLY VOLTAGE (V)
0
200
0
100
100
60
14
16
12
80
200
300
18
20
28
180
3
5
6
7
60
100
80
20
3
1
5
140
160
250
150
25
IDQ = 2 x 100 mA
VDD = 28 V
4
2
VDS = 28 V
IDQ = 2 x 100 mA
Pin = Constant
f = 500 MHz
I
9
8
24
10 W
6 W
Pin = 14 W
VDS = 10 V
VGS(th) = 2.5 V
500 MHz
400 MHz
225 MHz
40
–2
2
4
1
4.5
2.5
0.5
3.5
1.5
P
120
0
80
40
160
22
26
P
20
100
60
180
140
10 W
6 W
Pin = 14 W
IDQ = 2 x 100 mA
f = 400 MHz
50
P
10 W
12 W
Pin = 4 W
IDQ = 2 x 100 mA
f = 225 MHz
IDQ = 2 x 100 mA
f = 500 MHz
14
16
12
18
20
28
24
22
26
14
16
12
18
20
28
24
22
26
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