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参数资料
| 型号： | MRF342 |
| 厂商： | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | SILICON POWER NPN TRANSISTOR |
| 中文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | MRF342 |
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1202
FAX (818) 765-3004 1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS
T
C
= 25 °C
SYMBOL
BV
CEO
I
C
= 20 mA
BV
CES
I
C
= 20 mA
BV
CBO
I
C
= 20 mA
BV
EBO
I
E
= 2.0 mA
I
CES
V
CE
= 27 V
V
CE
= 5.0 V I
C
= 1.0 A
TRANS1.SYM
TEST CONDITIONS
MINIMUM
35
65
65
4.0
10
TYPICAL
MAXIMUM
UNITS
V
V
V
V
mA
2.0
100
h
FE
C
OB
G
PE
G
PE
η
C
---
pF
dB
dB
%
V
CB
= 27 V f = 1.0 MHz
V
CC
= 13.5 V P
OUT
= 6.0 W f = 136 MHz
20
11.5
12.3
60
30
10
11
50
V
CC
= 27 V P
OUT
= 24 W f = 136 MHz
SILICON POWER NPN TRANSISTOR
MRF342
DESCRIPTION:
The
ASI MRF342
is designed for
VHF amplifier applications operating to
150 MHz.
MAXIMUM RATINGS
I
C
3.0 A
V
CEO
35 V
V
CBO
65 V
V
EBO
4.0 V
P
DISS
55 W @ T
C
= 25 °C
T
J
-55 °C to +150 °C
T
STG
-55 °C to +150 °C
θ
JC
3.2 °C/W
PACKAGE STYLE TO-220AB
1 = Base 2 = Emitter 3 = Collector
4 = Emitter
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