型号: | MRF555T |
厂商: | MICROSEMI CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 171K |
代理商: | MRF555T |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MRF555 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MRF557G | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MRF557T | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MRF5583 | VHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MRFQ17R2 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MRF557 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
MRF557G | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
MRF557T | 功能描述:射频双极电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
MRF5583 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:SURFACE MOUNT HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR PNP SILICON |
MRF559 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |