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参数资料
| 型号： | MRF577T1 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | The RF Small Signal Line NPN Silicon High-Frequency Transistor |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, SOT-323 |
| 封装： | SC-70, SOT-323, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | MRF577T1 |
MRF577T1
6
MOTOROLA RF DEVICE DATA
VCE
(Volts)
IC
f
S11
S21
S12
S22
(mA)
(GHz)
|S11|
0.852
0.758
0.687
0.649
0.622
0.588
0.581
0.580
0.574
0.572
0.578
0.591
0.609
0.617
0.643
0.770
0.666
0.607
0.580
0.562
0.536
0.533
0.534
0.531
0.530
0.539
0.551
0.568
0.578
0.614
0.629
0.551
0.522
0.513
0.505
0.489
0.490
0.492
0.491
0.491
0.501
0.513
0.528
0.536
0.578
0.509
0.485
0.478
0.478
0.476
0.466
0.469
0.471
0.472
0.472
0.482
0.493
0.507
0.514
0.555
∠
φ
–47
–84
–108
–125
–138
–148
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–164
–170
–175
–
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–
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–
131
–
118
–
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–60
–99
–123
–138
–149
–159
–166
–172
–177
–
178
–
159
–
144
–
130
–
118
–
96
–83
–123
–143
–155
–163
–171
–177
–
178
–
174
–
170
–
154
–
140
–
127
–
116
–
96
–111
–144
–159
–167
–173
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179
–
175
–
171
–
168
–
165
–
150
–
138
–
125
–
115
–
96
|S21|
9.09
7.13
5.60
4.52
3.79
3.20
2.81
2.48
2.25
2.05
1.46
1.16
0.99
0.87
0.75
13.16
9.41
7.02
5.52
4.54
3.83
3.33
2.94
2.65
2.41
1.71
1.36
1.15
1.02
0.86
19.46
12.13
8.57
6.58
5.35
4.50
3.89
3.43
3.08
2.80
1.96
1.56
1.32
1.17
0.99
24.53
13.84
9.51
7.22
5.84
4.90
4.23
3.73
3.34
3.03
2.12
1.68
1.42
1.26
1.06
∠
φ
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5
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106
97
90
85
80
76
71
68
52
38
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18
3
130
109
98
91
86
82
78
74
71
68
53
40
30
20
4
119
102
93
88
83
80
76
73
70
67
54
42
32
22
6
|S12|
0.061
0.095
0.112
0.121
0.127
0.131
0.135
0.140
0.144
0.149
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0.233
0.298
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0.055
0.080
0.092
0.101
0.109
0.117
0.124
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0.390
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0.060
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0.083
0.096
0.108
0.121
0.134
0.148
0.161
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0.293
0.354
0.414
0.516
0.034
0.048
0.062
0.077
0.093
0.108
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0.155
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0.244
0.313
0.375
0.432
0.525
∠
φ
65
49
41
37
35
35
3
35
37
38
45
49
49
45
32
61
47
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42
42
44
45
46
47
48
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49
46
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56
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54
56
57
57
58
58
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56
58
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63
64
65
65
64
64
63
57
50
44
36
23
|S22|
0.881
0.708
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0.434
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∠
φ
–25
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–60
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–75
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159
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–157
–160
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–
177
–
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–
159
–
143
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3.0
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0.90
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
4.00
5.0
10
20
Table 2. Common Emitter S–Parameters
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5811LT1 | LOW NOISE HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON |
| MRF5S19090LR3 | 1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs |
| MRF5S19090LSR3 | 1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs |
| MRF5S21130 | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S21130R3 | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF581 | 功能描述:射频放大器 RF Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MRF581_08 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| MRF5811LT1 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-143 |
| MRF5812 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MRF5812G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF5812G - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
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