| 型号: | MRF577T1 |
| 厂商: | MOTOROLA INC |
| 元件分类: | 功率晶体管 |
| 英文描述: | The RF Small Signal Line NPN Silicon High-Frequency Transistor |
| 中文描述: | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, SOT-323 |
| 封装: | SC-70, SOT-323, 3 PIN |
| 文件页数: | 9/12页 |
| 文件大小: | 122K |
| 代理商: | MRF577T1 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5811LT1 | LOW NOISE HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON |
| MRF5S19090LR3 | 1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs |
| MRF5S19090LSR3 | 1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs |
| MRF5S21130 | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S21130R3 | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF581 | 功能描述:射频放大器 RF Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MRF581_08 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| MRF5811LT1 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-143 |
| MRF5812 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MRF5812G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF5812G - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |