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参数资料
型号： MRF577T1
厂商： MOTOROLA INC
元件分类： 功率晶体管
英文描述： The RF Small Signal Line NPN Silicon High-Frequency Transistor
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, SOT-323
封装： SC-70, SOT-323, 3 PIN
文件页数： 8/12页
文件大小： 122K
代理商： MRF577T1
MRF577T1
8
MOTOROLA RF DEVICE DATA
VCE
(Volts)
IC
f
S11
S21
S12
S22
(mA)
(GHz)
|S11|
0.521
0.448
0.426
0.42
0.415
0.401
0.403
0.405
0.405
0.406
0.42
0.434
0.454
0.466
0.52
0.438
0.407
0.400
0.400
0.398
0.389
0.392
0.395
0.396
0.397
0.411
0.426
0.446
0.459
0.512
∠
φ
–94
–131
–149
–159
–166
–175
–180
–
176
–
173
–
169
–
154
–
141
–
128
–
118
–
99
–116
–147
–160
–168
–173
–
179
–
175
–
172
–
169
–
165
–
152
–
139
–
127
–
117
–
99
|S21|
26.70
15.53
10.76
8.19
6.63
5.56
4.80
4.23
3.78
3.43
2.38
1.87
1.57
1.39
1.15
30.08
16.43
11.20
8.48
6.84
5.74
4.95
4.35
3.89
3.53
2.44
1.92
1.61
1.42
1.17
∠
φ
123
104
96
90
85
82
78
75
72
69
56
44
33
23
6
114
99
92
87
83
80
77
74
71
68
55
44
33
24
7
|S12|
0.030
0.043
0.056
0.070
0.083
0.097
0.111
0.125
0.139
0.153
0.220
0.284
0.343
0.399
0.495
0.025
0.039
0.053
0.068
0.083
0.098
0.113
0.128
0.143
0.157
0.227
0.293
0.352
0.408
0.500
∠
φ
59
58
62
64
65
66
66
65
65
64
59
53
47
40
28
61
65
68
70
70
70
69
69
68
67
60
53
47
40
27
|S22|
0.555
0.335
0.243
0.199
0.172
0.132
0.121
0.112
0.106
0.101
0.094
0.105
0.125
0.137
0.189
0.423
0.245
0.179
0.152
0.135
0.100
0.094
0.090
0.087
0.085
0.088
0.103
0.126
0.139
0.190
∠
φ
–56
–74
–82
–88
–92
–93
–96
–100
–104
–107
–125
–141
–157
–169
–
167
–68
–86
–96
–103
–108
–113
–117
–123
–127
–131
–149
–161
–173
–
176
–
156
6.0
20
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
4.00
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
4.00
40
Table 2. Common Emitter S–Parameters (continued)
相关PDF资料
PDF描述
MRF5811LT1 LOW NOISE HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON
MRF5S19090LR3 1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
MRF5S19090LSR3 1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
MRF5S21130 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21130R3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
相关代理商/技术参数
参数描述
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MRF581_08 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF5811LT1 制造商:Motorola Inc 功能描述:UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-143
MRF5812 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel
MRF5812G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF5812G - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
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