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参数资料
| 型号： | MRF5812R1 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SO-8 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 173K |
| 代理商： | MRF5812R1 |
MSC1319.PDF 10-25-99
MRF5812, R1, R2
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (Tcase = 25
°
C)
STATIC
(off)
Symbol
Test Conditions
Value
Typ.
Min.
Max.
Unit
BVCEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IC = 5.0 mAdc, IB = 0)
15
-
-
Vdc
BVCBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mAdc, IE = 0)
30
-
-
Vdc
BVEBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
(IE = 0.1 mAdc, IC = 0)
2.5
-
-
Vdc
ICBO
Collector Cutoff Current
(VCE = 15 Vdc, VBE = 0 Vdc)
-
-
0.1
mA
IEBO
Collector Cutoff Current
(VCE = 2.0 Vdc, VBE = 0 Vdc)
-
-
0.1
mA
(on)
HFE
DC Current Gain
(IC = 50 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
50
200
DYNAMIC
Symbol
Test Conditions
Value
Typ.
Min.
Max.
Unit
COB
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
-
1.4
2.0
pF
Ftau
Current-Gain Bandwidth Product
(IC = 75 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 GHz)
-
5.0
-
GHz
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PDF描述 |
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