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参数资料
| 型号： | MRF5P20180HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 397K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230 |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 14dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.6A |
| 功率 - 输出： | 38W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5P20180HR6
Figure 2. MRF5P20180HR6 Test Circuit Component Layout
MRF5P20180
Rev 1
CUT OUT AREA
C14
R1
R2
VGG
VDD
C10
C8
C6
C12
C16
C17
C4
C20
C5
C3
C2
STRAP
C1
C9
R3 C15R4 C11
C13
C18
C19
C7
C21
VGG
VDD
Freescale has begun the transition of marking Printed Circuit Boards (PCBs) with the Freescale Semiconductor
signature/logo. PCBs may have either Motorola or Freescale markings during the transition period. These changes will have
no impact on form, fit or function of the current product.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5P21045NR1 | MOSFET RF N-CH TO-270-4 |
| MRF5P21180HR6 | MOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230 |
| MRF5P21240HR6 | MOSFET RF N-CHAN 28V 52W NI-1230 |
| MRF5S19060MR1 | MOSFET RF N-CH 28V 12W TO-270-4 |
| MRF5S19060NBR1 | MOSFET N-CH 12W 28V TO-272-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5P20180HR6_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF5P20180R6 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MRF5P21045NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 2170MHZ 10W TO270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5P21180 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF5P21180HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 38W WCDMA NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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