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参数资料
| 型号： | MRF5S19060NBR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/16页 |
| 文件大小： | 595K |
| 描述： | MOSFET N-CH 12W 28V TO-272-4 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.99GHz |
| 增益： | 14dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 750mA |
| 功率 - 输出： | 12W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | TO-272BB |
| 供应商设备封装： | TO-272 WB-4 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MRF5S19060NBR1CT |
MRF5S19060NR1 MRF5S19060NBR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
VDD
= 28 Vdc
f1 = 1960 MHz, f2 = 1962.5 MHz
Two?Tone Measurements,
2.5 MHz Tone Spacing
1150 mA
ηD
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
2020
1900
IRL
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ Pout
= 12 Watts Avg.
?20
?5
?10
?15
VDD= 28 Vdc, Pout
= 12 W (Avg.), I
DQ
= 750 mA
2?Carrier N?CDMA, 2.5 MHz Carrier Spacing,
1.2288 MHz Channel Bandwidth, PAR = 9.8 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
2000
1940
1920
14.8
?53
24
23
22
?35
?41
?47
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
1980
1960
14.6
14.4
14.2
14
13.8
13.6
Gps
IM3
1.2288 MHz Channel Bandwidth, PAR = 9.8 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ Pout
= 30 Watts Avg.
14.2
?43
39
37
35
?25
?31
?37
2020
1900 19801920
1940 1960
ηD
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
?20
?5
?10
?15
G
ps
, POWER GAIN (dB)
2000
14
13.8
13.6
13.4
13.2
13
VDD= 28 Vdc, Pout
= 30 W (Avg.), I
DQ
= 750 mA
2?Carrier N?CDMA, 2.5 MHz Carrier Spacing,
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
100
12
17
1
16
IDQ
= 1150 mA
350 mA
VDD
= 28 Vdc
f1 = 1960 MHz, f2 = 1962.5 MHz
Two?Tone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
15
750 mA
14
550 mA
10
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
G
ps
, POWER GAIN (dB)
13
950 mA
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
?45
?15
1
IDQ
= 350 mA
10
?20
?25
?30
?35
?40
100
?60
?50
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
?55
950 mA
750 mA
550 mA
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