参数资料
型号: MRF5S19060NBR1
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 7/16页
文件大小: 595K
描述: MOSFET N-CH 12W 28V TO-272-4
产品变化通告: RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010
标准包装: 1
晶体管类型: LDMOS
频率: 1.99GHz
增益: 14dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 750mA
功率 - 输出: 12W
电压 - 额定: 65V
封装/外壳: TO-272BB
供应商设备封装: TO-272 WB-4
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: MRF5S19060NBR1CT
MRF5S19060NR1 MRF5S19060NBR1
15
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PRODUCT DOCUMENTATION
Refer to the following documents to aid your design process.
Application Notes
?
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
?
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
7
Oct. 2008
?
Modified data sheet to reflect RF Test Reduction described in Product and Process Change Notification
number, PCN12779, p. 1, 2
?
Updated Part Numbers in Table 6, Component Designations and Values, to RoHS compliant part
numbers, p. 3
?
Replaced Case Outline 1486-03, Issue C, with 1486-03, Issue D, p. 9-11. Added pin numbers 1 through 4
on Sheet 1.
?
Replaced Case Outline 1484-04, Issue D, with 1484-04, Issue E, p. 12-14. Added pin numbers 1 through
4 on Sheet 1, replacing Gate and Drain notations with Pin 1 and Pin 2 designations.
?
Added Product Documentation and Revision History, p. 15
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