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参数资料
| 型号： | MRF5S19060NBR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/16页 |
| 文件大小： | 595K |
| 描述： | MOSFET N-CH 12W 28V TO-272-4 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.99GHz |
| 增益： | 14dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 750mA |
| 功率 - 输出： | 12W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | TO-272BB |
| 供应商设备封装： | TO-272 WB-4 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MRF5S19060NBR1CT |
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S19060NR1 MRF5S19060NBR1
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22-A114)
1C (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22-A115)
C (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22-C101)
IV (Minimum)
Table 4. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak Temperature
Unit
Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
3
260
°C
Table 5. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
= 65 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
?
10
μAdc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
?
1
μAdc
Gate-Source Leakage Current
(VGS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
IGSS
?
?
1
μAdc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(VDS
= 10 Vdc, I
D
= 225
μAdc)
VGS(th)
2.5
?
3.5
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(VDS
= 28 Vdc, I
D
= 750 mAdc)
VGS(Q)
?
3.8
?
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(VGS
= 5 Vdc, I
D
= 2.25 Adc)
VDS(on)
?
0.26
?
Vdc
Forward Transconductance
(VDS
= 10 Vdc, I
D
= 2.25 Adc)
gfs
?
5
?
S
Dynamic Characteristics (1)
Reverse Transfer Capacitance
(VDS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
Crss
?
1.5
?
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 750 mA, P
out
= 12 W Avg., f1 = 1987.5 MHz,
f2 = 1990 MHz, 2-carrier N-CDMA, 1.2288 MHz Channel Bandwidth Carriers. ACPR measured in 30 kHz Channel Bandwidth @ ±885 kHz
Offset. IM3 measured in 1.2288 MHz Channel Bandwidth @ ±2.5 MHz Offset. PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain
Gps
12.5
14
16
dB
Drain Efficiency
ηD
21
23
?
%
Intermodulation Distortion
IM3
?
-37
-35
dBc
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
?
-51
-48
dBc
Input Return Loss
IRL
?
-12
-9
dB
Typical RF Performance
(50 ohm system)
Pulse Peak Power
(VDD
= 28 Vdc, 1-Tone CW Pulsed, I
DQ
= 750 mA, t
ON
= 8 μs,
1% Duty Cycle)
Psat
?
110
?
W
Video Bandwidth
(VDD
= 28 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 750 mA, Tone Spacing =
1 MHz to VBW, Δ
IM3<2dB)
VBW
?
35
?
MHz
1. Part is internally matched both on input and output.
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