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参数资料
| 型号： | MRF5S19150R3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors |
| 中文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-880, CASE 465B-03, 2 PIN |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 617K |
| 代理商： | MRF5S19150R3 |
MRF5S19150R3 MRF5S19150SR3
6
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
0
45
70
25
G
ps
IM3
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG., NCDMA
Figure 8. 2-Carrier N-CDMA ACPR, IM3, Power
Gain, Drain Efficiency versus Output Power
η
Gp
I
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1400 mA
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
2 x NCDMA, 2.5 MHz @ 1.2288 MHz Bandwidth
Peak/Avg. = 9.8 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
ACPR
η
40
30
35
35
30
40
25
45
20
50
15
55
10
60
5
65
1
100
0
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 9. 2-Carrier N-CDMA Spectrum
(
10
20
30
40
50
60
70
80
90
ACPR @ 30 kHz
Integrated BW
+ACPR @ 30 kHz
Integrated BW
IM3 @
1.2288 MHz
Integrated BW
+IM3 @
1.2288 MHz
Integrated BW
1.2288 MHz
Channel BW
6
1.5
4.5
3
0
1.5
3
4.5
6
7.5
7.5
220
10
6
10
9
100
Figure 10. MTBF Factor versus Junction Temperature
M
2
)
10
8
10
7
120
140
160
180
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
This above graph displays calculated MTBF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTBF factor by I
D2
for MTBF in a particular application.
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S19150SR3 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF840 | 64K SERIAL CONFIGURATION PROM |
| MRF842 | 64K SERIAL CONFIGURATION PROM |
| MRF847 | 64K SERIAL CONFIGURATION PROM |
| MRF857 | 64K SERIAL CONFIGURATION PROM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5S19150SR3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
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