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参数资料
| 型号： | MRF5S19150SR3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors |
| 中文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-880S, CASE 465C-02, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 617K |
| 代理商： | MRF5S19150SR3 |
MRF5S19150R3 MRF5S19150SR3
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ESD PROTECTION CHARACTERISTICS
Test Conditions
Class
Human Body Model
1 (Minimum)
Machine Model
M3 (Minimum)
Charge Device Model
C7 (Minimum)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 65 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
Gate-Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 360
μ
Adc)
V
GS(th)
2.5
2.8
3.5
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 28 Vdc, I
D
= 1400 mAdc)
V
GS(Q)
—
3.8
—
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 3.6 Adc)
V
DS(on)
—
0.24
—
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 3.6 Adc)
g
fs
—
9
—
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Reverse Transfer Capacitance (1)
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0, f = 1 MHz)
C
rss
—
3.1
—
pF
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture, 50 ohm system) 2-Carrier N-CDMA, 1.2288 MHz Channel Bandwidth Carriers.
Peak/Avg = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Common-Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 32 W Avg, I
DQ
= 1400 mA, f1 = 1930 MHz,
f2 = 1932.5 MHz and f1 = 1987.5 MHz, f2 = 1990 MHz)
G
ps
13
14
—
dB
Drain Efficiency
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 32 W Avg, I
DQ
= 1400 mA, f1 = 1930 MHz,
f2 = 1932.5 MHz and f1 = 1987.5 MHz, f2 = 1990 MHz)
η
24
26
—
%
Third Order Intermodulation Distortion
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 32 W Avg, I
DQ
= 1400 mA, f1 = 1930 MHz,
f2 = 1932.5 MHz and f1 = 1987.5 MHz, f2 = 1990 MHz; IM3 measured
over 1.2288 MHz Bandwidth at f1 -2.5 MHz and f2 +2.5 MHz
referenced to carrier channel power.)
IM3
—
-36.5
-35
dBc
Adjacent Channel Power Ratio
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 32 W Avg, I
DQ
= 1400 mA, f1 = 1930 MHz,
f2 = 1932.5 MHz and f1 = 1987.5 MHz, f2 = 1990 MHz; ACPR
measured over 30 kHz Bandwidth at f1 -885 MHz and f2 +885 MHz)
ACPR
—
-50
-48
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 32 W Avg, I
DQ
= 1400 mA, f1 = 1930 MHz,
f2 = 1932.5 MHz and f1 = 1987.5 MHz, f2 = 1990 MHz)
IRL
—
-17
-9
dB
(1) Part is internally matched both on input and output.
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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