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参数资料
| 型号： | MRF5S21090HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/10页 |
| 文件大小： | 637K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 14.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 850mA |
| 功率 - 输出： | 19W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
MRF5S21090HR3 MRF5S21090HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PRODUCT DOCUMENTATION
Refer to the following documents to aid your design process.
Application Notes
?
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
?
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
3
Oct. 2008
?
Modified data sheet to reflect RF Test Reduction described in Product and Process Change Notification
number, PCN12779, p. 1, 2
?
Updated Part Numbers in Table 5, Component Designations and Values, to RoHS compliant part
numbers, p. 3
?
Added Product Documentation and Revision History, p. 9
Dec. 2010
?
Data sheet archived. Parts no longer manufactured.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S21100HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S |
| MRF5S21130HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 28W NI-880S |
| MRF5S4125NR1 | MOSFET RF SGL 450MHZ TO-270-4 |
| MRF5S4140HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 28W NI-780S |
| MRF5S9070MR1 | MOSFET RF N-CH 26V 70W TO-270-2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5S21090L | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF5S21090LR3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF5S21090LSR3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF5S21100HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 LDMOS WCDMA NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S21100HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 LDMOS WCDMA NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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