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参数资料
| 型号： | MRF5S21150 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| 中文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-880, CASE 465B-03, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 556K |
| 代理商： | MRF5S21150 |
MRF5S21150R3 MRF5S21150SR3
4
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 2. MRF5S21150 Test Circuit Component Layout
MRF5S21150
Rev 0
C1
R1
R2
C2
C3
C4
C5
C6
C7
C8
C9
C10C11C12
C13
C14C15 C16
C17
C18
C19
C20
C
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S21150S | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF5S21150HR5 | 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF5S21150HSR3 | 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF5S21150HSR5 | 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF5S21150R3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
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