参数资料
型号: MRF5S21150
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: 功率晶体管
英文描述: RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
中文描述: S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封装: NI-880, CASE 465B-03, 3 PIN
文件页数: 7/12页
文件大小: 556K
代理商: MRF5S21150
7
MRF5S21150R3 MRF5S21150SR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 12. Series Equivalent Input and Output Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
2080
2110
2140
1.02 - j2.94
1.16 - j2.46
1.09 - j2.51
3.05 - j9.66
3.97 - j10.31
4.70 - j11.03
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1300 mA, P
out
= 33 W Avg.
Z
o
= 25
Z
load
*
f = 2080 MHz
f = 2200 MHz
Z
source
f = 2080 MHz
f = 2200 MHz
2170
2200
1.02 - j2.55
1.16 - j2.58
5.45 - j12.41
6.18 - j13.04
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
F
Freescale Semiconductor, Inc.
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Go to: www.freescale.com
n
.
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PDF描述
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