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参数资料
| 型号： | MRF5S21150SR3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| 中文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-880S, CASE 465C-02, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 556K |
| 代理商： | MRF5S21150SR3 |
MRF5S21150R3 MRF5S21150SR3
4
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 2. MRF5S21150 Test Circuit Component Layout
MRF5S21150
Rev 0
C1
R1
R2
C2
C3
C4
C5
C6
C7
C8
C9
C10C11C12
C13
C14C15 C16
C17
C18
C19
C20
C
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S9070NR1 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6402 | RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
| MRF6404K | RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
| MRF6404 | NPN Silicon RF Power Transistor(NPN硅射频功率晶体管) |
| MRF6408 | XC17S10VOG8C |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5S4125NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S4125NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S4140HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S4140HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S4140HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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