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参数资料
| 型号： | MRF5S21150SR3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| 中文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-880S, CASE 465C-02, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 556K |
| 代理商： | MRF5S21150SR3 |
5
MRF5S21150R3 MRF5S21150SR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
2220
2060
IRL
G
ps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance
I
Gp
,
η
30
10
15
20
25
I
I
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 33 W (Avg.), I
DQ
= 1300 mA
2Carrier WCDMA, 10 MHz Carrier Spacing,
3.84 MHz Channel Bandwidth, Peak/Avg. = 8.5 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
2200
2180
2160
2140
2120
2100
2080
5
13
12
11
10
9
8
7
6
44
35
30
25
20
28
32
36
40
Figure 4. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 5. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
Figure 7. Pulse CW Output Power versus
Input Power
E
100
10
14
1
I
DQ
= 1900 mA
1600 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Gp
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
TwoTone Measurement, 10 MHz Tone Spacing
700 mA
1300 mA
1000 mA
13
12
11
10
1000
1000
55
25
1
I
DQ
= 700 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
I
I
1600 mA
1300 mA
1000 mA
1900 mA
10
30
35
40
45
50
100
65
60
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
TwoTone Measurement, 10 MHz Tone Spacing
10
60
25
0.1
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
I
I
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 150 W (PEP), I
DQ
= 1300 mA
TwoTone Measurements, Center Frequency = 2140 MHz
5th Order
3rd Order
30
35
40
45
50
55
1
100
47
58
36
P3dB = 53.58 dBm (228 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
Po
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1300 mA
Pulsed CW, 5
μ
sec(on), 1 msec(off)
Center Frequency = 2140 MHz
56
54
52
50
48
37
39
38
41
40
44
42
Actual
Ideal
P1dB = 52.95 dBm (197 W)
57
55
51
53
49
43
45
46
35
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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