- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21696 > MRF5S4125NBR1 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF SGL 450MHZ TO-272-4 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF5S4125NBR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/15页 |
| 文件大小： | 911K |
| 描述： | MOSFET RF SGL 450MHZ TO-272-4 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 465MHz |
| 增益： | 23dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.1A |
| 功率 - 输出： | 25W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | TO-272BB |
| 供应商设备封装： | TO-272 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S4125NR1 MRF5S4125NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
-- 7 0
-- 1 0
1 10010
-- 4 0
-- 5 0
-- 3 0
-- 2 0
7th Order
5th Order
3rd Order
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
1 10010
TWO--TONE SPACING (MHz)
IM7--L
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
Figure 9. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
36
59
25
Pin, INPUT POWER (dBm)
56
54
P1dB = 51.16 dBm (130.62 W)
52
26 2827 3029 3331
32 34
Actual
Ideal
57
53
55
24
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
P6dB = 52.98 dBm (198.6 W)
Figure 10. Single--Carrier N--CDMA ACPR, ALT1, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
25
0--7585_C
_C
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
50
-- 2 5
25
-- 3 5
20
-- 4 0
15
-- 5 5
5--70-- 3 0_C
11060
-- 6 0
10
ηD
C
Gps
TC
=--30_C
ACPR
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
50
P3dB = 52.26 dBm (168.27 W)
200
300
IM7--U
IM5--L
IM5--U
IM3--L
IM3--U
-- 2 0
-- 1 0
35
51
30
35
40
45
-- 6 5
-- 5 0
-- 4 5
-- 3 0
25_
85_C
VDD=28Vdc,IDQ
= 1100 mA, f = 465 MHz
Single--Carrier N--CDMA
1.2288 MHz Channel Bandwidth, PAR = 9.8 dB
@ 0.01% Probability(CCDF)
49
C
-- 3 0_C
-- 6 0
VDD
=28Vdc
f1 = 465 MHz, f2 = 467.5 MHz
Two--Tone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
-- 6 0
58
ALT1
85_C
25_
VDD
=28Vdc,Pout
= 120 W (PEP)
IDQ
= 1100 mA, Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 465 MHz
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1100 mA
CW
f = 465 MHz
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMZ1608R601A | FERRITE CHIP 600 OHM 500MA 0603 |
| MMZ1608Y102B | FERRITE CHIP 1000 OHM 400MA 0603 |
| MMZ1608B601C | FERRITE CHIP 600 OHM 500MA 0603 |
| MMZ1005D680C | FERRITE CHIP BEAD 68 OHM 0402 |
| MMZ1005F560C | FERRITE CHIP BEAD 56 OHM 0402 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5S4125NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S4140HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S4140HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S4140HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S4140HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。