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参数资料
| 型号： | MRF5S4125NBR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/15页 |
| 文件大小： | 911K |
| 描述： | MOSFET RF SGL 450MHZ TO-272-4 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 465MHz |
| 增益： | 23dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.1A |
| 功率 - 输出： | 25W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | TO-272BB |
| 供应商设备封装： | TO-272 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF5S4125NR1 MRF5S4125NBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
=28Vdc,Pout
= 25 W Avg., and
ηD
= 30.2%.
MTTF calculator available at http:/www.freescale.com/rf. Select
Tools/Software/Application Software/Calculators to access the MTTF
calculators by product.
100
17
1
0
90
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD
=28Vdc
IDQ
= 1100 mA
f = 465 MHz
TC
=--30_C
25_C
10
26
25
24
23
22
80
70
C
60
50
40
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
Gps
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
19
300
85_C
C
-- 3 0_C
85_
21
20
18
30
20
10
25_
Figure 12. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
ps
, POWER GAIN (dB)
20
24
0 25050 100
150 200
22
23
VDD
=24V
28 V
32 V
IDQ
= 1100 mA
f = 465 MHz
21
250
109
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 13. MTTF versus Junction Temperature
108
107
105
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
106
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
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PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
|---|---|
| MRF5S4125NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S4140HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S4140HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S4140HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S4140HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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