参数资料
型号: MRF5S4125NR1
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 11/15页
文件大小: 911K
描述: MOSFET RF SGL 450MHZ TO-270-4
产品变化通告: RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010
标准包装: 500
晶体管类型: LDMOS
频率: 465MHz
增益: 23dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 1.1A
功率 - 输出: 25W
电压 - 额定: 65V
封装/外壳: TO-270AB
供应商设备封装: TO-270 WB-4
包装: 带卷 (TR)
MRF5S4125NR1 MRF5S4125NBR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
500
420
IRL
Gps
ACPR
ALT1
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single--Carrier N--CDMA Broadband Performance @ Pout
= 25 Watts Avg.
-- 2 0
0
-- 1 0
-- 5
VDD=28Vdc,Pout
=25W(Avg.)
IDQ
= 1100 mA, Single--Carrier N--CDMA
430 450 470 490480
460
440
17
25
-- 6 5
36
32
28
-- 4 5
-- 5 0
-- 5 5
-- 6 0
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
24
23
22
21
20
19
18
24
-- 1 5
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
500
420
IRL
Gps
ACPR
ALT1
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single--Carrier N--CDMA Broadband Performance @ Pout
= 58 Watts Avg.
-- 2 0
0
-- 5
-- 1 0
430 450 470 490480
460
440
17
25
-- 6 0
52
48
44
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
24
23
22
21
20
19
18
40
-- 1 5
Figure 5. Two--Tone Power Gain versus
Output Power
10 300100
200
18
25
1
IDQ
= 1650 mA
1375 mA
24
23
21
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
G
ps
, POWER GAIN (dB)
20
22
825 mA
550 mA
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
-- 1 0
1 10010
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
200
300
-- 5 0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
IDQ
= 550 mA
1100 mA
825 mA
562.5 mA
1.2288 MHz Channel Bandwidth
PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
19
VDD
=28Vdc
f1 = 465 MHz, f2 = 467.5 MHz
Two--Tone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
1100 mA
VDD
=28Vdc
f1 = 465 MHz, f2 = 467.5 MHz
Two--Tone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
1375 mA
VDD=28Vdc,Pout
=58W(Avg.)
IDQ
= 1100 mA, Single--Carrier N--CDMA
1.2288 MHz, Channel Bandwidth
PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
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