- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录92 > MRF5S4125NR1 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF SGL 450MHZ TO-270-4 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF5S4125NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/15页 |
| 文件大小： | 911K |
| 描述： | MOSFET RF SGL 450MHZ TO-270-4 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 465MHz |
| 增益： | 23dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.1A |
| 功率 - 输出： | 25W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S4125NR1 MRF5S4125NBR1
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22--A114)
1B (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22--A115)
A (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22--C101)
IV (Minimum)
Table 4. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak Temperature
Unit
Per JESD 22--A113, IPC/JEDEC J--STD--020
3
260
°C
Table 5. Electrical Characteristics
(TC
=25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
=65Vdc,VGS
=0Vdc)
IDSS
?
?
10
μAdc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
=28Vdc,VGS
=0Vdc)
IDSS
?
?
1
μAdc
Gate--Source Leakage Current
(VGS
=5Vdc,VDS
=0Vdc)
IGSS
?
?
10
μAdc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(VDS
=10Vdc,ID
= 400
μAdc)
VGS(th)
2
3
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(VDS
=28Vdc,ID
= 1100 mAdc, Measured in Functional Test)
VGS(Q)
3.5
4.25
5
Vdc
Drain--Source On--Voltage
(VGS
=10Vdc,ID
=1.5Adc)
VDS(on)
0.05
0.175
0.3
Vdc
Dynamic Characteristics
(1)
Reverse Transfer Capacitance
(VDS
=28Vdc±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, VGS
=0Vdc)
Crss
?
2.41
?
pF
Output Capacitance
(VDS
=28Vdc±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, VGS
=0Vdc)
Coss
?
74.61
?
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 1100 mA, Pout
= 25 W Avg. N--CDMA, f = 465 MHz,
Single--Carrier N--CDMA, 1.2288 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 30 kHz Channel Bandwidth @
±750 kHz Offset.
PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain
Gps
22
23
25
dB
Drain Efficiency
ηD
28
30.2
?
%
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
?
--47.6
-- 4 5
dBc
Input Return Loss
IRL
?
-- 1 5
-- 9
dB
1. Part internally input matched.
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S4140HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 28W NI-780S |
| MRF5S9070MR1 | MOSFET RF N-CH 26V 70W TO-270-2 |
| MRF5S9070NR5 | MOSFET RF N-CH 26V 70W TO-270-2 |
| MRF5S9080NR1 | MOSFET RF N-CH 26V 80W TO-270-4 |
| MRF5S9100MR1 | MOSFET RF N-CH 26V 20W TO-270-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5S4140HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S4140HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S4140HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S4140HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 450MHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S9070MR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 26V 70W TO-270-2 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。