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参数资料
| 型号： | MRF5S9080NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 16/20页 |
| 文件大小： | 755K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 26V 80W TO-270-4 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 960MHz |
| 增益： | 18.5dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 600mA |
| 功率 - 输出： | 90W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF5S9080NR1 MRF5S9080NBR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS - 900 MHz
G
ps
, POWER GAIN (dB)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
1020
16.5
19.5
860
?40
80
60
19
40
18
20
0
17
?20
880 900 920 940 960 980 1000
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout
= 80 Watts CW
IRL
Gps
VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 600 mA
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
18.5
17.5
G
ps
, POWER GAIN (dB)
1020
18.2
19.2
860
?40
60
40
19
18.6
20
0
?20
880 900 920 940 960 980 1000
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout
= 36 Watts CW
IRL
Gps
VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 600 mA
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
18.8
18.4
1000
14
20
1
IDQ
= 900 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 5. Power Gain versus Output Power
VDD
= 26 Vdc
f = 940 MHz
18
600 mA
17
16
15
10 100
200
13
20
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 6. Power Gain versus Output Power
VDD
= 12 V
16 V
24 V
28 V
32 V
18
17
16
15
50 100 150
20 V
19
750 mA
450 mA
300 mA
IDQ
= 600 mA
f = 940 MHz
19
14
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PDF描述 |
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