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参数资料
| 型号： | MRF5S9080NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 17/20页 |
| 文件大小： | 755K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 26V 80W TO-270-4 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 960MHz |
| 增益： | 18.5dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 600mA |
| 功率 - 输出： | 90W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S9080NR1 MRF5S9080NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS - 900 MHz
G
ps
, POWER GAIN (dB)
1000
1
0
70
Gps
TC
= ?30
C
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 7. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 600 mA
f = 940 MHz
25C
85C
25C
85C
100
10
60
50
40
30
20
10
14
21
20
19
18
17
16
15
980
0
6
900
Pout
= 53 W Avg.
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 8. EVM versus Frequency
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 550 mA
13 W Avg.
3 W Avg.
5
4
3
2
1
910 920 930 940 950 960 970
ηD
100
0
1
0
EVM
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 9. EVM and Drain Efficiency versus
Output Power
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
TC
= 85
C
25C
?30C
VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 600 mA
f = 940 MHz
EDGE Modulation
8
80
6
60
4
40
20
2
10
980
?90
?50
900
SR @ 400 kHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 10. Spectral Regrowth at 400 kHz and
600 kHz versus Frequency
SPECTRAL REGROWTH @ 400 kHz and 600 kHz (dBc)
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 550 mA
f = 940 MHz
EDGE Modulation
?60
?70
?80
SR @ 600 kHz
910 920 930 940 950 960 970
Pout
= 53 W Avg.
13 W Avg.
3 W Avg.
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
?30C
100
?80
?45
0
TC
= 85
C
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 11. Spectral Regrowth @ 400 kHz
versus Output Power
SPECTRAL REGROWTH @ 400 kHz (dBc)
25C
?30C
?55
?65
?75
20 40 8060
100
?85
?55
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 12. Spectral Regrowth @ 600 kHz
versus Output Power
SPECTRAL REGROWTH @ 600 kHz (dBc)
?65
?75
?80
20 40 60 80
?50
?60
?70
?70
?60
TC
= 85
C
25C
?30C
?55
?65
?75
?85
53 W Avg.
13 W Avg.
3 W Avg.
VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 600 mA
f = 940 MHz
EDGE Modulation
VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 600 mA
f = 940 MHz
EDGE Modulation
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