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参数资料
| 型号： | MRF5S9080NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 18/20页 |
| 文件大小： | 755K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 26V 80W TO-270-4 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 960MHz |
| 增益： | 18.5dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 600mA |
| 功率 - 输出： | 90W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF5S9080NR1 MRF5S9080NBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than ±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2
for MTTF in a particular application.
Figure 13. MTTF Factor versus Junction Temperature
100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200
210
1.E+07
1.E+09
90
MTTF FACTOR (HOURS X AMPS
2
)
1.E+08
GSM TEST SIGNAL
Figure 14. EDGE Spectrum
?10
?20
?30
?40
?50
?60
?70
?80
?90
?100
200 kHz Span 2 MHz
Center 1.96 GHz
?110
400 kHz
600 kHz
400 kHz
600 kHz
(dB)
Reference Power
VBW = 30 kHz
Sweep Time = 70 ms
RBW = 30 kHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S9100MR1 | MOSFET RF N-CH 26V 20W TO-270-4 |
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相关代理商/技术参数 |
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| MRF5S9100N | 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述: |
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