型号: | MRF646 |
厂商: | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
中文描述: | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 40K |
代理商: | MRF646 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MRF648 | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
MRF750 | NPN SILICON RF TRANSISTOR |
MRF752 | NPN SILICON RF TRANSISTOR |
MRF837 | NPN SILICON RF LOW POWER TRANSISTOR |
MRF838A | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MRF648 | 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
MRF650 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
MRF652 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
MRF6522-70 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
MRF6522-70R3 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |