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参数资料
| 型号： | MRF6P24190HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 365K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 190W NI-1230 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.39GHz |
| 增益： | 14dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.9A |
| 功率 - 输出： | 40W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P24190HR6
Figure 2. MRF6P24190HR6 Test Circuit Component Layout ? 2450 MHz
*Stacked
+
+
+
+
+
+
C28
R1
C12
C11
C10*
C9*
B1
B2
C5
C1
C2
C6
B3
B4
R2
C16 C15
C14*
C13*
C25 C26
C22
C23 C24
C8
C4
C3
C17
C18 C19
C20 C21
C27
CUT OUT AREA
MRF6P24190H
Rev. 1.0
C7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6P24190HR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2.4GHZ HV6 40W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6P24190HR6_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF6P27160H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF6P27160H_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF6P27160H_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
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