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参数资料
| 型号： | MRF6P27160HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 487K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-1230 |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.66GHz |
| 增益： | 14.6dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.8A |
| 功率 - 输出： | 35W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P27160HR6
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
1 10010
?60
?10
0.1
7th Order
TWO?TONE SPACING (MHz)
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 160 W (PEP), I
DQ
= 1800 mA
Two?Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2645 MHz
5th Order
3rd Order
?20
?30
?40
?50
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
Figure 8. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
42
58
P3dB = 54.32 dBm (270.33 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1800 mA
Pulsed CW, 8 μsec(on), 1 msec(off)
f = 2645 MHz
56
54
52
50
35 37 39 4136 38 40
Actual
Ideal
P1dB = 53.64 dBm (231.15 W)
57
34
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
Figure 9. Single-Carrier N-CDMA ACPR,
ALT1, Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
0 ?70
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG. W?CDMA
35
?35
25
20
?45
15
?50
5
?60
1 10 100
?55
10
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
?65
ηD
Gps
400
?5
20
0
50
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 1800 mA
f = 2645 MHz
0.1 1 10010
15
5
30
20
10
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
Gps
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
Figure 11. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
VDD
= 24 V
G
ps
, POWER GAIN (dB)
300
10
16
60
15
11
120
12
14
32 V
IDQ
= 1800 mA
f = 2645 MHz
0
55
53
51
30
?40
ALT1
VDD= 28 Vdc, IDQ
= 1800 mA, f = 2645 MHz
Single?Carrier N?CDMA, 1.2288 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 9.8 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
0
40
13
180 240
ACPR
10
28 V
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