型号: | MRF6S18060MR1 |
厂商: | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
封装: | PLASTIC, CASE 1486-03, 4 PIN |
文件页数: | 10/20页 |
文件大小: | 702K |
代理商: | MRF6S18060MR1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
MRF6S18060MBR1 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
MRF6S18060NBR1 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
MRF6S18060NR1 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
MRF6S18100NBR1 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
MRF6S18100NR1 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
MRF6S18060NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1880MHZ 60W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF6S18060NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1880MHZ 60W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF6S18060NR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
MRF6S18100NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF6S18100NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |