参数资料
型号: MRF6S18060MR1
厂商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分类: 功率晶体管
英文描述: L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
封装: PLASTIC, CASE 1486-03, 4 PIN
文件页数: 3/20页
文件大小: 702K
代理商: MRF6S18060MR1
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
MRF6S18060MR1 MRF6S18060MBR1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 16. MRF6S18060MR1(MBR1) Test Circuit Component Layout — 1800 MHz
CUT
OUT
AREA
R1
R2
C1
C6
R3
C3
C5
C7
C2
C12
C10
C11
C8
C9
C4
MRF6S18060N/NB
Rev. 0
VGS
VDS
相关PDF资料
PDF描述
MRF6S18060MBR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S18060NBR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S18060NR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6S18100NBR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S18100NR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
相关代理商/技术参数
参数描述
MRF6S18060NBR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1880MHZ 60W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S18060NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1880MHZ 60W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S18060NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18100NBR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S18100NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray