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参数资料
| 型号： | MRF6S18100NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 17/21页 |
| 文件大小： | 1146K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 100W TO2704 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.99GHz |
| 增益： | 14.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 900mA |
| 功率 - 输出： | 100W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6S18100NR1 MRF6S18100NBR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
—
1930--1990 MHz
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
f, FREQUENCY (MHz)
13
1900
20
Gps
VDD
=28Vdc
IDQ
= 900 mA
17 60
50
40
30
2020
IRL
Figure 3. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout
= 100 Watts
-- 3 0
0
-- 1 0
-- 2 0
-- 4 0
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
16
15
14
ηD
1920 1940 1960 1980 2000
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
f, FREQUENCY (MHz)
13
1900
20
Gps
VDD
=28Vdc
IDQ
= 900 mA
17 60
50
40
30
2020
IRL
Figure 4. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout
= 40 Watts
-- 3 0
0
-- 1 0
-- 2 0
-- 4 0
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
16
15
14
ηD
1920 1940 1960 1980 2000
Figure 5. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
VDD
=28Vdc
f = 1960 MHz
1125 mA
IDQ
= 1350 mA
10
11
1
16
14
13
12
100
G
ps
, POWER GAIN (dB)
15
900 mA
665 mA
450 mA
20 16040
60 80
100 120 140
2
0
16
12
10
6
4
Figure 6. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
VDD
=24V
28 V
IDQ
= 900 mA
f = 1960 MHz
G
ps
, POWER GAIN (dB)
32 V
14
8
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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