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参数资料
| 型号： | MRF6S18100NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 18/21页 |
| 文件大小： | 1146K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 100W TO2704 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.99GHz |
| 增益： | 14.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 900mA |
| 功率 - 输出： | 100W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S18100NR1 MRF6S18100NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
—
1930--1990 MHz
Figure 7. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
Figure 8. EVM versus Frequency
100
8
18
1
0
C
50
VDD
=28Vdc
IDQ
= 900 mA
f = 1960 MHz
TC
=--30_C
-- 3 0_C
25_C
85_C
10
16
14
12
10
40
30
20
10
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 9. EVM and Drain Efficiency versus
Output Power
-- 5 0
-- 6 0
-- 6 5
-- 7 0
-- 7 5
1900 20201920
-- 8 5
Figure 10. Spectral Regrowth at 400 kHz and
600 kHz versus Frequency
f, FREQUENCY (MHz)
Pout=61WAvg.
44 W Avg.
20 W Avg.
VDD
=28Vdc
IDQ
= 700 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
100
4
12
VDD
=28Vdc
IDQ
= 700 mA
f = 1960 MHz
EDGE Modulation
8
6
0
10
1
2
20
C
60
40
30
0
10
85_
Gps
TC
=--30_C
25_C
85_C
-- 7 5
-- 4 0
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 5 0
-- 5 5
-- 6 0
-- 6 5
-- 7 0
20
Figure 11. Spectral Regrowth at 400 kHz
versus Output Power
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
2000
0
5
3
1
1980
1960
1940
1920
4
2
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
SPECTRAL REGROWTH @ 400 kHz (dBc)
SPECTRAL REGROWTH @ 400 kHz AND 600 kHz (dBc)
25_
85_C
10
50
EVM
25_C
1940 1960 1980 2000
VDD
=28Vdc
IDQ
= 700 mA
f = 1960 MHz
EDGE Modulation
Pout=61WAvg.
44 W Avg.
20 W Avg.
61 W Avg.
44 W Avg.
20 W Avg.
f, FREQUENCY (MHz)
40 60 80 100
VDD
=28Vdc,IDQ
= 700 mA
f = 1960 MHz, EDGE Modulation
85_C
25_C
-- 8 5
-- 5 5
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 6 0
-- 7 0
-- 7 5
-- 8 0
Figure 12. Spectral Regrowth at 600 kHz
versus Output Power
SPECTRAL REGROWTH @ 600 kHz (dBc)
20 40 60 80 100
-- 6 5
SR @ 400 kHz
SR @ 600 kHz
TC
=--30_C
-- 5 5
-- 8 0
-- 4 5
VDD
=28Vdc,IDQ
= 700 mA
f = 1960 MHz, EDGE Modulation
ηD
TC
=--30_C
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
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