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参数资料
| 型号： | MRF6S18140HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 435K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V ESD NI880S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.88GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.2A |
| 功率 - 输出： | 29W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S18140HR3 MRF6S18140HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
-70
-10
1 10010
-40
-50
-30
-20
-60
7th Order
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1200 mA
f1 = 1838.75
MHz, f2 = 1841.25
MHz
Two-Tone Measurements
5th Order
3rd Order
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
1 10010
0
TWO-T ONE SPACING (MHz)
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 140 W (PEP), I
DQ
= 1200 mA
Two-Tone Measurements,
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1840 MHz
IM7-U
-3 0
-4 0
-5 0
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
Figure 9. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
44
60
33
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1200 mA
Pulsed CW, 12 μsec(on), 1% Duty Cycle
f = 1840 MHz
58
56
54
52
49
34 3635 3837 4139
40 42
Actual
Ideal
55
P1dB = 52.6 dBm (182.64 W)
59
57
53
32
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
P6dB = 53.90 dBm (245.47 W)
Figure 10. 2-Carrier N-CDMA ACPR, IM3, Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
0 -70
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
50
C
-20
25
-30
C
20
-35
15
-50
5
-65
1 10 100
-55
10
-30C
25C
85C
IM3
ηD
Gps
TC
= -30
C
ACPR
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
50
P3dB = 53.36 dBm (216.77 W)
400
IM7-L
IM5-L
IM5-U
IM3-L
IM3-U
-2 0
-1 0
43
51
30
35
40
45
-60
-45
-40
-25
25
85
VDD= 28 Vdc, IDQ
= 1200 mA
f1 = 1838.75 MHz, f2 = 1841.25 MHz
2-Carrier N-CDMA, 2.5 MHz Carrier
Spacing, 1.2288 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 9.8 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
-6 0
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