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参数资料
| 型号： | MRF6S19060GNR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 14/16页 |
| 文件大小： | 932K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V TO-270-2 GW |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 610mA |
| 功率 - 输出： | 12W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270BB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 鸥翼形 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6S19060NR1 MRF6S19060NBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
N--CDMA TEST SIGNAL
250
108
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
=28Vdc,Pout
= 12 W Avg., and
ηD
= 26%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
107
106
105
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
Figure 12. MTTF versus Junction Temperature
246810
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 13. 2--Carrier CCDF N--CDMA
10
1
0.1
0.01
0.001
IS--95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8
Through 13) 1.2288 MHz Channel Bandwidth
Carriers. ACPR Measured in 30 kHz Bandwidth @
±885 kHz Offset. IM3 Measured in 1.2288 MHz
Bandwidth @
±2.5 MHz Offset. PAR = 9.8 dB @
0.01% Probability on
CCDF.
PROBABILITY (%)
f, FREQUENCY (MHz)
--100
0
Figure 14. 2--Carrier N--CDMA Spectrum
-- 1 0
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 6 0
-- 7 0
-- 8 0
-- 9 0
--ACPR in 30 kHz
Integrated BW
+ACPRin30kHz
Integrated BW
-- I M 3 i n
1.2288 MHz
Integrated BW
+IM3 in
1.2288 MHz
Integrated BW
1.2288 MHz
Channel BW
-- 7 . 5 7 . 56
1.5 4.53
0
-- 1 . 5
-- 3
-- 4 . 5
-- 6
(dB)
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S19100GNR1 | MOSFET RF N-CH 28V TO-270-2 GW |
| MRF6S19100HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF6S19060N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S19060NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 12W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S19060NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 12W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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