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参数资料
| 型号： | MRF6S19060GNR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/16页 |
| 文件大小： | 932K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V TO-270-2 GW |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 610mA |
| 功率 - 输出： | 12W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270BB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 鸥翼形 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S19060NR1 MRF6S19060NBR1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S19100GNR1 | MOSFET RF N-CH 28V TO-270-2 GW |
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| MRF6S19140HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 29W NI-880S |
| MRF6S19200HSR5 | MOSFET RF N-CH 56W 28V NI780S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF6S19060N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S19060NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 12W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S19060NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 12W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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