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参数资料
| 型号： | MRF6S19140HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 405K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 29W NI-880S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.15A |
| 功率 - 输出： | 29W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S19140HR3 MRF6S19140HSR3
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Zsource
Ω
Zload
Ω
1900
1930
1960
1.13 - j0.67
1.07 - j0.46
1.11 - j0.60
2.27 - j3.95
2.00 - j4.24
1.72 - j3.96
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1150 mA, P
out
= 29 W Avg.
Zo
= 5
Ω
Zload
f = 1900 MHz
f = 2020 MHz
Zsource
1990
2020 1.01 - j0.171.69 - j3.17
1.06 - j0.30
1.80 - j3.51
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
f = 1900 MHz
f = 2020 MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF6S19200HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 1.9GHZ 56W 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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