- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21704 > MRF6S21060MR1 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CH 28V 14W TO270-4 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF6S21060MR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 3/20页 |
| 文件大小： | 1366K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 14W TO270-4 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 15.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 610mA |
| 功率 - 输出： | 14W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270-4 |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6S21060NR1 MRF6S21060NBR1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
-- 6 0 0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
0
30
-- 1 0
25
-- 2 0
15
03 91
2645 78
10
-- 5 0
Figure 18. 3--Carrier TD--SCDMA ACPR, ALT and
Drain Efficiency versus Output Power
ALT/ACPR (dBc)
-- 3 0
-- 4 0
5
Adj--U
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
3--Carrier TD--SCDMA
VDD
=28V,IDQ
= 555 mA
f = 2017.5 MHz
Alt--U
Alt--L
20
Adj--L
-- 5 8 0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
-- 1 8
25
-- 2 6
20
15
0.5
10
-- 5 0
Figure 19. 6--Carrier TD--SCDMA ACPR, ALT and
Drain Efficiency versus Output Power
-- 3 4
-- 4 2
1.5
5
Adj--L
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
Alt--U
Alt--L
ALT/ACPR (dBc)
Adj--U
2.5 3.5 4.5 5.5 6.5 7.5
6--Carrier TD--SCDMA
VDD
=28V,IDQ
= 560 mA
f = 2017.5 MHz
TD--SCDMA TEST SIGNAL
-- 8 0
--130
-- 3 0
(dBm)
-- 4 0
-- 5 0
-- 6 0
-- 7 0
-- 9 0
--100
-- 11 0
--120
Center 2.0175 GHz Span 15 MHz1.5 MHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 20. 3--Carrier TD--SCDMA Spectrum
1.28 MHz
Channel BW
-- 8 0
--130
-- 3 0
(dBm)
-- 4 0
-- 5 0
-- 6 0
-- 7 0
-- 9 0
--100
-- 11 0
--120
Center 2.0175 GHz Span 25 MHz2.5 MHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 21. 6--Carrier TD--SCDMA Spectrum
1.28 MHz
Channel BW
VBW = 300 kHz
Sweep Time = 200 ms
RBW = 30 kHz
VBW = 300 kHz
Sweep Time = 200 ms
RBW = 30 kHz
+ALT2 in
1.28 MHz BW
+3.2 MHz Offset
+ALT1 in
1.28 MHz BW
+1.6 MHz Offset
-- A LT 1 i n
1.28 MHz BW
--1.6 MHz Offset
+ALT2 in
1.28 MHz BW
+3.2 MHz Offset
+ALT1 in
1.28 MHz BW
+1.6 MHz Offset
-- A LT 1 i n
1.28 MHz BW
--1.6 MHz Offset
-- A LT 2 i n
1.28 MHz BW
--3.2 MHz Offset
-- A LT 2 i n
1.28 MHz BW
--3.2 MHz Offset
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S21060MBR1 | MOSFET RF N-CH 28V 14W TO272-4 |
| MIN02-002C040D-F | CAP MICA 4PF 300V SMD |
| MCM01-009ED800K-F | CAP MICA 80PF 500V 10% SMD |
| MRF6S21050LR5 | MOSFET RF N-CH 28V 11.5W NI-400 |
| MCM01-009ED800J-F | CAP MICA 80PF 500V 5% SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6S21060N | 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述: |
| MRF6S21060NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2170MHZ 14W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S21060NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2170MHZ 14W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S21060NR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S21100HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 23W W-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。