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参数资料
| 型号： | MRF6S21060MR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/20页 |
| 文件大小： | 1366K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 14W TO270-4 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 15.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 610mA |
| 功率 - 输出： | 14W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270-4 |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21060NR1 MRF6S21060NBR1
Zo
=10?
Zload
Zin
f = 1950 MHz
f = 2070 MHz
f = 2070 MHz
f = 1950 MHz
VDD
=28Vdc,IDQ
= 560 mA
f
MHz
Zin
?
Zload
?
1950
2.227 -- j9.127
3.341 -- j8.372
1960
2.168 -- j8.942
3.239 -- j8.218
1970
2.124 -- j8.757
3.168 -- j8.084
1980
2.073 -- j8.606
3.083 -- j7.966
1990
2.031 -- j8.447
3.009 -- j7.865
2000
1.987 -- j8.306
2.929 -- j7.743
2010
1.940 -- j8.155
2.845 -- j7.639
2020
1.911 -- j8.000
2.775 -- j7.529
2030
1.891 -- j7.835
2.696 -- j7.410
2040
1.856 -- j7.711
2.615 -- j7.309
2050
1.831 -- j7.589
2.549 -- j7.207
2060
1.808 -- j7.461
2.479 -- j7.086
2070
1.782 -- j7.325
2.422 -- j6.983
Zin
= Device input impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 22. Series Equivalent Input and Load Impedance ? TD--SCDMA
Zin
Zload
Device
Under Test
Output
Matching
Network
Input
Matching
Network
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S21060MBR1 | MOSFET RF N-CH 28V 14W TO272-4 |
| MIN02-002C040D-F | CAP MICA 4PF 300V SMD |
| MCM01-009ED800K-F | CAP MICA 80PF 500V 10% SMD |
| MRF6S21050LR5 | MOSFET RF N-CH 28V 11.5W NI-400 |
| MCM01-009ED800J-F | CAP MICA 80PF 500V 5% SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6S21060N | 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述: |
| MRF6S21060NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2170MHZ 14W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S21060NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2170MHZ 14W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S21060NR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S21100HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 23W W-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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