参数资料
型号: MRF6S21060NR1
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 4/20页
文件大小: 1366K
描述: MOSFET RF N-CH 28V 14W TO270-4
产品变化通告: RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010
标准包装: 500
晶体管类型: LDMOS
频率: 2.11GHz
增益: 15.5dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 610mA
功率 - 输出: 14W
电压 - 额定: 68V
封装/外壳: TO-270AB
供应商设备封装: TO-270 WB-4
包装: 带卷 (TR)
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21060NR1 MRF6S21060NBR1
Zo
=10?
Zload
Zin
f = 1950 MHz
f = 2070 MHz
f = 2070 MHz
f = 1950 MHz
VDD
=28Vdc,IDQ
= 560 mA
f
MHz
Zin
?
Zload
?
1950
2.227 -- j9.127
3.341 -- j8.372
1960
2.168 -- j8.942
3.239 -- j8.218
1970
2.124 -- j8.757
3.168 -- j8.084
1980
2.073 -- j8.606
3.083 -- j7.966
1990
2.031 -- j8.447
3.009 -- j7.865
2000
1.987 -- j8.306
2.929 -- j7.743
2010
1.940 -- j8.155
2.845 -- j7.639
2020
1.911 -- j8.000
2.775 -- j7.529
2030
1.891 -- j7.835
2.696 -- j7.410
2040
1.856 -- j7.711
2.615 -- j7.309
2050
1.831 -- j7.589
2.549 -- j7.207
2060
1.808 -- j7.461
2.479 -- j7.086
2070
1.782 -- j7.325
2.422 -- j6.983
Zin
= Device input impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 22. Series Equivalent Input and Load Impedance ? TD--SCDMA
Zin
Zload
Device
Under Test
Output
Matching
Network
Input
Matching
Network
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
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