- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21725 > MRF6S21100HR3 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF6S21100HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/15页 |
| 文件大小： | 671K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 15.9dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 950mA |
| 功率 - 输出： | 23W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
250
108
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 12. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
= 28 Vdc, P
out
= 23 W Avg., and
ηD
= 27.6%.
MTTF calculator available at http:/www.freescale.com/rf. Select Tools/
Software/Application Software/Calculators to access the MTTF calcu?
lators by product.
106
105
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
107
W-CDMA TEST SIGNAL
246810
0.0001
100
0
PEAK?TO?AVERAGE (dB)
Figure 13. CCDF W-CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 67% Clipping, Single-Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
PROBABILITY (%)
W?CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz Channel
Bandwidth @ ±5 MHz Offset. IM3 Measured in
3.84 MHz Bandwidth @ ±10 MHz Offset. PAR =
8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
Figure 14. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
?70
?80
?30
+20
?40
?20
?10
?50
?60
0
+30
3.84 MHz
Channel BW
?IM3 in
3.84 MHz BW
+IM3 in
3.84 MHz BW
?ACPR in
3.84 MHz BW
+ACPR in
3.84 MHz BW
?25 2551510
20
0
?5
?10
?15
?20
(dB)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| C3391-33.000 | OSC 33.000 MHZ 3.3V +/-25PPM SMD |
| MRF6S19100HR3 | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780 |
| MIN02-002DC430J-F | CAP MICA 43PF 300V 5% SMD |
| C3391-32.768 | OSC 32.768 MHZ 3.3V +/-25PPM SMD |
| MIN02-002DC390J-F | CAP MICA 39PF 300V 5% SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6S21100HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 23W W-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S21100HS | 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述: |
| MRF6S21100HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 23W W-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S21100HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 23W W-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S21100MBR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 23W TO272-4 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。