参数资料
型号: MRF6S21100HR3
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 4/15页
文件大小: 671K
描述: MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780
标准包装: 250
晶体管类型: LDMOS
频率: 2.11GHz
增益: 15.9dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 950mA
功率 - 输出: 23W
电压 - 额定: 68V
封装/外壳: NI-780
供应商设备封装: NI-780
包装: 带卷 (TR)
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
Zo
= 5
Ω
Zsource
Zload
f = 1950 MHz
f = 1950 MHz
f = 2070 MHz
f = 2070 MHz
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 800 mA
f
MHz
Zsource
Zload
1950
1.04 - j4.28
1.38 - j3.90
1960
1.07 - j4.31
1.41 - j3.92
1970
0.96 - j4.13
1.29 - j3.71
1980
0.82 - j3.71
1.12 - j3.34
1990
0.79 - j3.34
1.07 - j2.96
2000
0.82 - j3.15
1.08 - j2.75
2010
0.88 - j3.16
1.12 - j2.76
2020
0.84 - j3.30
1.11 - j2.86
2030
0.83 - j3.47
1.12 - j3.01
2040
0.91 - j3.71
1.22 - j3.20
2050
0.91 - j3.90
1.25 - j3.34
2060
0.81 - j3.81
1.15 - j3.27
2070
0.76 - j3.45
1.09 - j2.92
Zsource
= Device input impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 22. Series Equivalent Source and Load Impedance ? TD-SCDMA
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
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