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参数资料
| 型号： | MRF6S21100HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 14/15页 |
| 文件大小： | 671K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 15.9dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 950mA |
| 功率 - 输出： | 23W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Zsource
Ω
Zload
Ω
2080
2110
2140
1.83 - j3.0
1.61 - j2.6
1.74 - j2.8
2.44 - j6.3
2.25 - j6.1
2.09 - j5.8
VDD
= 28
Vdc, IDQ
= 950 mA,
Pout
= 23 W Avg.
Zo
= 10
Ω
Zload
f = 2080 MHz
Zsource
2170
2200 1.52 - j2.31.85 - j5.4
1.59 - j2.5
1.98 - j5.6
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
f = 2200 MHz
f = 2080 MHz
f = 2200 MHz
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PDF描述 |
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