- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录93 > MRF6S21100HSR5 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF6S21100HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/15页 |
| 文件大小： | 671K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 15.9dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 950mA |
| 功率 - 输出： | 23W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D
,
100
?60
?20
0.1
3rd Order
TWO?TONE SPACING (MHz)
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD,
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 100 W (PEP), I
DQ
= 950 mA
Two?Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2140 MHz
5th Order
7th Order
?25
?30
?35
?40
?45
?50
?55
10
1
42
44
56
28
Actual
P1dB = 50.9 dBm (123 W)
Ideal
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 8. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 950 mA
Pulsed CW, 8 μsec(on), 1 msec(off)
f = 2140 MHz
P3dB = 51.5 dBm (141 W)
54
52
50
48
46
40
38
36
30 32 34
100
0
50
0.4
?60
?10
20 ?40
Gps
ACPR
40 ?20
IM3
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 9. 2-Carrier W-CDMA ACPR, IM3,
Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 950 mA
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
2?Carrier W?CDMA, 10 MHz Carrier Spacing
3.84 MHz Channel Bandwidth
30 ?30PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
10 ?50
10
1
200
6
18
1
0
60
16 50Gps
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
810VDD
= 28 Vdc
13
ηD
IDQ
= 950 mA, f = 2140 MHz
IDQ
= 950 mA
f = 2140 MHz
14 40
12 30
10 20
10 100
180
12
17
0
VDD
= 24 V
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
28 V
32 V
16
15
14
20 40 60 80 100 120 140 160
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S21100NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 23W TO270-4 |
| MRF6S21140HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 30W NI-880S |
| MRF6S21190HSR5 | MOSFET RF N-CH 54W NI880S |
| MRF6S23100HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S |
| MRF6S23140HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28W 28W NI-880S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6S21100MBR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 23W TO272-4 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF6S21100MR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 23W TO270-4 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF6S21100NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2170MHZ 23W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S21100NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2170MHZ 23W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S21100NR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。