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参数资料
| 型号： | MRF6S21100HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 3/15页 |
| 文件大小： | 671K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 15.9dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 950mA |
| 功率 - 输出： | 23W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
?60 0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
?30
18
?35
15
?40
9
03 91
2645 78
6
?55
Figure 18. 3-Carrier TD-SCDMA ACPR, ALT and
Drain Efficiency versus Output Power
ALT/ACPR (dBc)
?45
?50
3
Adj?U
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
3?Carrier TD?SCDMA
VDD
= 28 V, I
DQ
= 800 mA
f = 2017.5 MHz
Alt?U
Alt?L
12
Adj?L
?60 0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
?30
18
?35
15
12
0.5
9
?50
Figure 19. 6-Carrier TD-SCDMA ACPR, ALT and
Drain Efficiency versus Output Power
?40
?45
1.5
6
Adj?L
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
6?Carrier TD?SCDMA
VDD
= 28 V, I
DQ
= 800 mA
f = 2017.5 MHz
Alt?U
Alt?L
ALT/ACPR (dBc)
Adj?U
2.5 3.5 4.5 5.5 6.5 7.5
?55
3
TD-SCDMA TEST SIGNAL
?80
?130
?30
(dBm)
?40
?50
?60
?70
?90
?100
?110
?120
1.5 MHz
Center 2.0175 GHz
Span 15 MHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 20. 3-Carrier TD-SCDMA Spectrum
1.28 MHz
Channel BW
?80
?130
?30
(dBm)
?40
?50
?60
?70
?90
?100
?110
?120
2.5 MHz
Center 2.0175 GHz
Span 25 MHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 21. 6-Carrier TD-SCDMA Spectrum
1.28 MHz
Channel BW
VBW = 300 kHz
Sweep Time = 200 ms
RBW = 30 kHz
VBW = 300 kHz
Sweep Time = 200 ms
RBW = 30 kHz
+ALT2 in
1.28 MHz BW
+3.2 MHz Offset
+ALT1 in
1.28 MHz BW
+1.6 MHz Offset
?ALT1 in
1.28 MHz BW
?1.6 MHz Offset
+ALT2 in
1.28 MHz BW
+3.2 MHz Offset
+ALT1 in
1.28 MHz BW
+1.6 MHz Offset
?ALT1 in
1.28 MHz BW
?1.6 MHz Offset
?ALT2 in
1.28 MHz BW
?3.2 MHz Offset
?ALT2 in
1.28 MHz BW
?3.2 MHz Offset
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