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参数资料
| 型号： | MRF6S21190HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 418K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 54W NI880S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.6A |
| 功率 - 输出： | 54W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6S21190HR3 MRF6S21190HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
ps
, POWER GAIN (dB)
2220
2060
15
IRL
Gps
PARC
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Output Peak-to-Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 54 Watts Avg.
2080 22002160
2180
2120
2100
13.5
18.5
18
17.5
17
?2.5
34
32
30
28
0
?1
?1.5
?2
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
PARC (dB)
?24
?4
?8
?16
?20
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
2140
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL
Gps
13.5
PARC
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Output Peak-to-Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 86 Watts Avg.
12.5
17
16.5
16
15.5
15
14.5
14
?4
42
38
36
34
?2
?2.5
?3
?3.5
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
PARC (dB)
?25
?5
?10
?15
?20
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
10 200100
13
18
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
VDD
= 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two?Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
17
16
G
ps
, POWER GAIN (dB)
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
?20
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
?30
?40
100
?60
?50
VDD
= 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two?Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
1
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
200
IDQ
= 2400 mA
2000 mA
IDQ
= 800 mA
2000 mA
2400 mA
Single?Carrier W?CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
VDD= 28 Vdc, Pout
= 86 W (Avg.), I
DQ
= 1600 mA
Single?Carrier W?CDMA, 3.84 MHz Channel Banwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
15
1600 mA
1200 mA
800 mA
1200 mA
1600 mA
14
14.5
15.5
16
16.5
?0.5
26
VDD= 28 Vdc, Pout
= 54 W (Avg.), I
DQ
= 1600 mA
?12
2220
2060 21602080 22002100
2120
2140
2180
13
40
14
ηD
ηD
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PDF描述 |
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参数描述 |
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