型号: | MRF6S23140HR3 |
厂商: | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
封装: | ROHS COMPLIANT, NI-880, CASE 465B-03, 2 PIN |
文件页数: | 1/12页 |
文件大小: | 432K |
代理商: | MRF6S23140HR3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MRF6S27050HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF6S27050HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF6S27085HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF6S27085HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF6S9045MBR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MRF6S23140HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.3GHZ 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF6S23140HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.3GHZ 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF6S23140HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.3GHZ 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF6S24140H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
MRF6S24140HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2.4GHZ HV6 W-CDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |