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参数资料
| 型号： | MRF6S24140HS |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 390K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.39GHz |
| 增益： | 15.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.3A |
| 功率 - 输出： | 28W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 散装 |
MRF6S24140HR3 MRF6S24140HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
TYPICAL CHARACTERISTICS — 2450 MHz
G
ps
, POWER GAIN (dB)
500
1
0
50
Gps
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 3. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power as a Function of VDD
IDQ
= 1200 mA
f = 2450 MHz
VDD
=28V
100
10
40
30
20
10
11
16
15
14
13
12
?
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
?D
32 V
30 V
32 V
30 V
28 V
G
ps
, POWER GAIN (dB)
1
0
60
Gps
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 4. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD
=32V
IDQ
= 1200 mA
f = 2450 MHz
100
40
30
20
11.5
14.5
14
13
12
?
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
?D
13.5
12.5
50
10
10
Gps
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 5. Power Gain and Drain Efficiency versus
CW Output Power as a Function of Total IDQ
VDD
=28V
f = 2450 MHz
1400 mA
10
15
13
12
11
G
ps
, POWER GAIN (dB)
1
100
10
14
1000 mA
1300 mA
1200 mA
1100 mA
300
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S27015NR1 | IC MOSFET RF N-CHAN TO270-2 |
| MRF6S27050HSR5 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S |
| MRF6S27085HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S |
| MRF6S9045NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 |
| MRF6S9060NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-270-2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6S24140HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2.4GHZ HV6 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S24140HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2.4GHZ HV6 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S27015GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.7GHZ 15W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S27015N | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 68V 3PIN TO-270 - Bulk |
| MRF6S27015NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.7GHZ 15W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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