参数资料
型号: MRF6S27085HSR5
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 7/11页
文件大小: 392K
描述: MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S
标准包装: 50
晶体管类型: LDMOS
频率: 190MHz
增益: 15.5dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 900mA
功率 - 输出: 20W
电压 - 额定: 68V
封装/外壳: NI-780S
供应商设备封装: NI-780S
包装: 带卷 (TR)
MRF6S27085HR3 MRF6S27085HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
2690
2700
2600
2610 2630 2650 2670 2680
IRL
ACPR
ALT1
f, FREQUENCY (MHz)
?10
2660
2640
2620
13.6
15.2
15
14.8
14.6
14.2
14
13.8
?48
38
= 900 mA, Single?Carrier N?CDMA
36
1.2288 MHz Channel Bandwidth
34
?36
?40
?44
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
14.4
32
?12
?14
?16
?18
?20
?22
?24
?26
?32
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
2690
2700
2600
2610 2630 2650 2670 2680
IRL
ACPR
ALT1
?10
16
VDD= 28 Vdc, Pout
= 20 W (Avg.)
IDQ
= 900 mA, Single?Carrier N?CDMA
15.8
2660
2640
2620
14.6
16.2
?58
25
24
23
?46
?50
?54
100
12
18
1
IDQ
= 1340 mA
1240 mA
VDD
= 28 Vdc
f1 = 2643.75 MHz, f2 = 2646.25 MHz
Two?Tone Measurements
2.5 MHz Tone Spacing
900 mA
16
15
13
10
?20
300 3000.1 100110
?30
?40
?60
?50
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
G
ps
, POWER GAIN (dB)
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
22
?12
?14
?16
?18
?20
?22
?24
?26
17
14
440 mA
IDQ
= 440 mA
1340 mA
900 mA
1240 mA
675 mA
?42
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ 20 Watts Avg.
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ 45 Watts Avg.
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
Gps
675 mA
VDD
= 28 Vdc
f1 = 2643.75 MHz, f2 = 2646.25 MHz
Two?Tone Measurements
2.5 MHz Tone Spacing
15.6
15.4
15.2
15
14.8
1.2288 MHz Channel Bandwidth
PAR = 9.8 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
ηD
Gps
VDD= 28 Vdc, Pout
= 45 W (Avg.)
IDQ
PAR = 9.8 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
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